Silicon Carbide Keramik huet héich Temperatur Kraaft, héich Temperatur Oxidatioun Resistenz, gutt zouzedrécken Resistenz, gutt thermesch Stabilitéit, klenge Koeffizient vun thermesch Expansioun, héich thermesch Leit, héich hardness, Hëtzt Schock Resistenz, chemesch corrosion Resistenz an aner excellent Eegeschafte.Et gouf vill am Auto, Mechaniséierung, Ëmweltschutz, Raumfaarttechnologie, Informatiounselektronik, Energie an aner Felder benotzt, an ass eng irreplaceable strukturell Keramik mat exzellenter Leeschtung a ville industrielle Beräicher ginn.Loosst mech Iech elo weisen!
Drocklos Sintering
Drocklos Sintering gëtt als déi villverspriechend Method fir SiC Sintering ugesinn.No verschiddene Sinteringmechanismen, kann drocklos Sintering a Festphase Sintering a Flëssegphase Sintering opgedeelt ginn.Duerch ultra-fein β- Eng richteg Quantitéit vu B a C (Sauerstoffgehalt manner wéi 2%) goufen zur selwechter Zäit zu SiC-Pulver bäigefüügt, a s.proehazka gouf zu SiC gesintert Kierper mat Dicht méi héich wéi 98% bei 2020 ℃ gesintert.A. Mulla et al.Al2O3 an Y2O3 goufen als Zousätz benotzt a gesintert bei 1850-1950 ℃ fir 0,5 μ m β-SiC (Partikel Uewerfläch enthält eng kleng Quantitéit SiO2).D'relativ Dicht vun der kritt SiC Keramik ass méi wéi 95% vun der theoretescher Dicht, an der Kärgréisst ass kleng an der Moyenne Gréisst.Et ass 1,5 Mikron.
Hot Press sintering
Pure SiC kann nëmme kompakt bei ganz héijer Temperatur gesintert ginn ouni Sinteringadditiven, sou datt vill Leit e waarmpressende Sinterprozess fir SiC implementéieren.Et goufe vill Berichter iwwer d'waarmpressende Sintering vu SiC andeems Sinterhëllef bäigefüügt gouf.Alliegro et al.Studéiert den Effekt vu Bor, Aluminium, Néckel, Eisen, Chrom an aner Metalladditive op SiC Verdichtung.D'Resultater weisen datt Aluminium an Eisen déi effektivste Additive sinn fir SiC Hotpressing Sintering ze förderen.FFlange studéiert den Effekt vun der Zousatz vun enger anerer Quantitéit Al2O3 op d'Eegeschafte vu waarm gepresste SiC.Et gëtt ugeholl datt d'Verdichtung vu waarm gepresste SiC mam Mechanismus vun der Opléisung an der Nidderschlag verbonnen ass.Wéi och ëmmer, de Hot Press Sinterprozess kann nëmme SiC Deeler mat einfacher Form produzéieren.D'Quantitéit u Produkter produzéiert duerch den eemolege Hot Press Sinterprozess ass ganz kleng, wat fir d'industriell Produktioun net förderlech ass.
Hot isostatesch pressen sintering
Fir d'Defiziter vum traditionelle Sinterprozess ze iwwerwannen, goufen B-Typ a C-Typ als Zousatz benotzt a waarm isostatesch Pressende Sintertechnologie gouf ugeholl.Bei 1900 ° C goufen fein kristallin Keramik mat enger Dicht méi wéi 98 kritt, an d'Biegekraaft bei Raumtemperatur konnt 600 MPa erreechen.Och wa waarm isostatesch presséiert Sintering dichte Phaseprodukter mat komplexe Formen a gudde mechanesche Properties produzéiere kann, muss d'Sintering versiegelt ginn, wat schwéier ass fir industriell Produktioun z'erreechen.
Reaktioun sintering
Reaktioun gesintert Siliziumkarbid, och bekannt als selbstgebonnen Siliziumkarbid, bezitt sech op de Prozess an deem poröse Billet mat Gas oder Flëssegphase reagéiert fir Billetqualitéit ze verbesseren, Porositéit ze reduzéieren, a fäerdeg Produkter mat gewësse Kraaft a Dimensiounsgenauegkeet ze sinteren.huelt α-SiC-Pulver a Grafit ginn an engem gewëssen Undeel gemëscht an op ongeféier 1650 ℃ erhëtzt fir e Quadratbiller ze bilden.Zur selwechter Zäit penetréiert oder penetréiert et an de Billet duerch gasfërmeg Si a reagéiert mat Grafit fir β-SiC ze bilden, kombinéiert mat existente α-SiC Partikelen.Wann Si komplett infiltréiert ass, kann d'Reaktioun gesintert Kierper mat kompletter Dicht an net Schrumpfgréisst kritt ginn.Am Verglach mat anere Sinterprozesser ass d'Gréisstännerung vum Reaktiounssinter am Verdichtungsprozess kleng, an d'Produkter mat enger genauer Gréisst kënne virbereet ginn.Wéi och ëmmer, d'Existenz vun enger grousser Quantitéit vu SiC am gesinterte Kierper mécht d'Héichtemperatureigenschaften vun der Reaktioun gesintert SiC Keramik verschlechtert.
Post Zäit: Jun-08-2022